Как мы уже сообщали, компания Qualcomm проектирует свой самый мощный процессор Snapdragon, который найдёт применение в портативных компьютерах под управлением Windows 10. Сетевые источники раскрыли новые детали об этом чипе.

Напомним, что изделие фигурирует под именем Snapdragon 1000 (SDM1000). Ранее говорилось, что процессор будет изготавливаться по 7-нанометровой технологией. Его основой якобы послужат вычислительные ядра ARM Cortex-A76, а максимальное значение рассеиваемой тепловой энергии (показатель TDP) составит 12 Вт.

Теперь стало известно, что платформа Snapdragon 1000 обеспечит поддержку до 16 Гбайт оперативной памяти LPDDR4X RAM. Устройства на основе нового процессора смогут использовать флеш-накопители UFS 2.1; причём отмечается, что чип позволит задействовать два таких модуля.

Упомянуты новые средства управления питанием, контроллер беспроводной связи Wi-Fi 802.11ad и сотовый модем LTE гигабитного класса. Называются также размеры чипа — 20 × 15 мм против 12 × 12 мм у недавно анонсированного изделия Snapdragon 850, также рассчитанного на Windows-компьютеры.

Ожидается, что в плане производительности процессор Snapdragon 1000 будет сопоставим с решениями Intel Core Y- и U-Series. Анонс нового чипа Qualcomm, вероятно, состоится ближе к концу нынешнего года. 

Как мы знаем, энергонезависимую память STT-MRAM (spin-transfer torque MRAM) в настоящее время выпускает компания GlobalFoundries по проекту компании Everspin Technologies. Плотность 40-нм микросхем STT-MRAM составляет всего 256 Мбит (32 Мбайт), что выгодно компенсируется высокой скоростью работы и большей устойчивостью к разрушению во время операций очистки, чем в случае памяти NAND. Эти высокие качества STT-MRAM позволяют претендовать магниторезистивной памяти с записью данных с помощью переноса спинового момента (spin-transfer torque) на место в процессоре. Как минимум речь идёт о замене массивов SRAM на массивы STT-MRAM в качестве кеш-памяти третьего уровня (L3). А что же с кеш-памятью L1 и L2?

По мнению специалистов бельгийского исследовательского центра Imec, для использования магниторезистивной памяти MRAM в качестве энергонезависимого кеша первого и второго уровней память STT-MRAM подходит не очень хорошо. На эту роль претендует более совершенный вариант магниторезистивной памяти, а именно — SOT-MRAM (spin-orbit torque MRAM). Запись в ячейку SOT-MRAM также происходит спин-поляризованным током, но только в виде передачи вращательного момента, используя для этого спин-орбитальный момент электронов.

Принципиальная разница заключается в схеме управления туннельным переходом в составе ячейки памяти и в методе записи. Так, ячейка STT-MRAM представляет собой бутерброд из двух тонкоплёночных структур (разделённых диэлектриком), одна из которых имеет постоянную намагниченность, а вторая «свободную» — зависящую от поляризации приложенного тока. Запись и чтение данных из такой ячейки происходят одинаково при пропускании токов перпендикулярно через туннельный переход. Тем самым износ ячейки происходит как во время записи, так и во время чтения, хотя при чтении токи значительно меньше, чем при записи.

Ячейка с туннельным переходом SOT-MRAM, также содержащая свободный слой и слой с постоянной намагниченностью, записывается током, который движется вдоль туннельного перехода, а не через все слои. Изменение «геометрии» подачи тока, заявляют в Imec, значительно повышает как устойчивость ячейки к износу, так и скорость переключения слоя. При сравнении работы ячеек STT-MRAM и SOT-MRAM, выпущенных на одной и той же пластине типоразмера 300 мм, для SOT-MRAM устойчивость к износу превысила 5·1010, а скорость переключения ячейки (запись) снизилась с 5 нс до 210 пс (пикосекунд). Потребление при этом было на низком уровне, равном 300 пДж (пикоджоулей).

Особый шарм всей этой истории заключается в том, что в Imec показали возможность выпускать память SOT-MRAM на штатном оборудовании на 300-мм кремниевых подложках. Иначе говоря, на практическом уровне доказали возможность запуска массового производства памяти типа SOT-MRAM.

Словенская компания EK Water Blocks не стала брать паузу между выставкой Computex 2018 и новыми анонсами. Так, уже 14 июня в её ассортименте появились RGB-комплекты для модернизации ранее выпущенных водоблоков для процессоров и видеокарт. Позднее EK решилась на более серьёзный релиз: все желающие теперь могут приобрести комплекты EK-Kit RGB 240 и EK-Kit RGB 360 для сборки систем жидкостного охлаждения. По умолчанию обе СЖО рассчитаны только на охлаждение CPU, но при желании к ним можно подсоединить и отдельно приобретённый водоблок для видеокарты.

Одно из немногих конструктивных различий между EK-Kit RGB 240 и EK-Kit RGB 360 заключается в размере радиатора: в младшей модели применяется теплорассеиватель EK-CoolStream PE 240 со сторонами 280 × 130 × 38 мм, а в старшей — EK-CoolStream PE 360 (400 × 130 × 38 мм). Радиаторы преимущественно изготовлены из меди: рёбра полностью, а трубки используют сплав с 90 % содержанием меди.

Водоблоком служит RGB-версия проверенного временем EK-Supremacy EVO. Теплосъёмник имеет медное либо медное никелированное основание и акриловую крышку со встроенной подсветкой. Отверстия в крышке рассчитаны на фитинги типоразмера G1/4. В комплект поставки входит прозрачный шланг из ПВХ EK-DuraClear длиной 2 м. Его можно нарезать по собственному усмотрению.

Резервуар со встроенной помпой EK-XRES 140 Revo D5 RGB PWM поддерживает ШИМ-управление режимами работы. Высота конструкции составляет 190 мм, диаметр резервуара — 60 мм. Максимальная производительность помпы заявлена на уровне 1500 л/ч, энергопотребление — 23 Вт. Подсветка резервуара может быть синхронизирована с системами подсветки ASUS Aura, Gigabyte RGB Fusion и MSI Mystic Light.

С набором EK-Kit RGB 240 поставляются два 120-мм вентилятора EK-Vardar EVO 120ER RGB, а с EK-Kit RGB 360, соответственно, три. Помимо создания ещё одной зоны подсветки, они обеспечивают высокую производительность: при максимальной скорости вращения крыльчатки 2200 об/мин один «пропеллер» прокачивает 131 м³ воздуха в час. Уровень шума достигает 33,5 дБА. Основой вентиляторов является двойной подшипник качения со средним сроком наработки на отказ в 50 тыс. часов при температуре окружения 40 °C.

Подробные характеристики новых комплектов EK Water Blocks для сборки СЖО приведены на сайте производителя. Рекомендованные цены EK-Kit RGB 240 и EK-Kit RGB 360 равны €399,90 и €439,90 соответственно.

Компания Micron Technology зафиксировала рекордные продажи благодаря высокому спросу на чипы памяти, используемые в компьютерах и смартфонах.

За третий квартал 2018 финансового года, который завершился 31 мая, выручка Micron увеличилась на 40 % и достигла $7,8 млрд, чего не было никогда. Опрошенные Thomson Reuters I/B/E/S аналитики ожидали продажи на уровне $7,77 млрд.

Чистая прибыль Micron увеличилась более чем вдвое — с $1,65 млрд в третьем квартале 2017 финансового года до $3,82 млрд год спустя. Прибыль также превысила средний прогноз по рынку.

Из отчёта следует, что в марте–мае Micron нарастила продажи чипов оперативной памяти на 56 %. Эта продукция начала приносить производителю более 71 % доходов.

Генеральный директор Micron Санджай Мехротра (Sanjay Mehrotra) заявил, что DRAM-память пользуется высоким спросом со стороны владельцев дата-центров, производителей мобильных устройств и графических решений. По его словам, всё больше памяти требуется для развития тенденций в сферах искусственного интеллекта, дополненной реальностей и там, где происходит работа с изображениями высокого разрешения.

По итогам четвёртого финансового квартала Micron ожидает выручку в диапазоне от 8 до 8,4 млрд долларов, тогда как на Уолл-стрит прогнозируют $8,07 млрд. После публикации финансовых результатов котировки американского чипмейкера возросли на 3 %.

Корпорация Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) раскрыла объём инвестиций в методику производства микрочипов следующего поколения.

Сейчас TSMC занята внедрением передовой 7-нанометровой технологии. Соответствующие производственные линии будут выпускать продукцию для многих крупных заказчиков, включая NVIDIA, Qualcomm, Sony и Apple. Ожидается, что по итогам текущего года 7-нанометровые изделия составят около 10 % в общем объёме выхода продукции на предприятиях TSMC.

Вслед за 7-нанометровой методикой планируется переход на нормы 5 нанометров. Ранее говорилось, что TSMC организует рисковое производство таких изделий в следующем году.

Как теперь сообщает Reuters, инвестиции TSMC в 5-нанометровое производство составят $25 млрд. Подробностей о том, как и в какие сроки будут выделены эти средства, к сожалению, нет.

Нужно также отметить, что в дальнейшие планы TSMC входит развёртывание производства микрочипов с нормами 3 нанометра. Для этого компания построит новый завод, который расположится на Тайване в Тайнаньском научном парке (Tainan Science Park). 

Компания Samsung продолжает экспериментировать с дизайном смартфонов: информацию об очередной разработке в данной сфере опубликовало Управление США по патентам и торговым маркам (USPTO).

Документ носит лаконичное название «Электронное устройство» (Electronic device). Патент относится к категории дизайнерских, поэтому в нём описан лишь внешний вид гаджета, тогда как технические подробности отсутствуют.

Иллюстрации, сопровождающие патент, говорят о том, что смартфон имеет моноблочный форм-фактор. Небольшая рамка присутствует только над экраном — в этой области располагаются динамик и фронтальная камера.

Главная особенность заключается в наличии второго дисплея — он расположен на обратной стороне смартфона. Видно, что этот экран занимает примерно треть площади  тыльной поверхности корпуса. Над дисплеем установлена основная камера со вспышкой.

Изображения также указывают на наличие физических кнопок в боковой части. Кроме того, обозначен симметричный порт USB Type-C.

Увы, пока не ясно, планирует ли Samsung выпускать коммерческие устройства с описанным дизайном. Не исключено, что это решение пополнит перечень «бумажных» разработок компании. 

Уже 1 сентября в России может начаться эксплуатация новой системы, которая позволит осуществлять проверку наличия полисов ОСАГО с помощью камер фиксации нарушений правил дорожного движения (ПДД).

О проекте, как сообщает ТАСС, рассказал исполнительный директор Российского союза автостраховщиков (РСА) Евгений Уфимцев. Речь идёт о том, чтобы в автоматическом режиме выявлять и штрафовать автовладельцев, не имеющих действующего полиса обязательного страхования автогражданской ответственности.

Поначалу систему планируется запустить в Москве, а впоследствии она заработает и в других российских регионах. Проверка полисов будет осуществляться по базам ГИБДД и РСА.

«Планируется и предлагается, что первые три месяца будут приходить «письма счастья». Все машины, которые в течение дня попали под камеры, все будут проверяться по итогам дня на наличие полиса ОСАГО», — заявил господин Уфимцев.

С вводом системы в полноценную эксплуатацию автомобилистам, у которых нет полиса ОСАГО, будет выписываться штраф в размере 800 рублей. Причём такую сумму планируется взыскивать за каждый день, когда машина без страховки оказалась в поле зрения дорожных камер.

Отмечается, что проверка будет осуществляться в два этапа с определённым временным интервалом — это позволит избежать ошибочных штрафов, выписанных в связи с тем, что вновь проданный полис ещё не появился в базе данных. 

Первые прототипы электрического грузовик Tesla Semi в настоящее время проходят тестирование перед началом производства.

Компания Илона Маска опубликовала в Твиттере видео с демонстрацией фрагмента испытательного рейса Tesla Semi, движущегося по мосту Золотые Ворота в Санта-Розу.

Санта-Роза находится примерно в 50 милях (80,5 км) от моста Золотые Ворота, хотя поездка, по-видимому, началась где-то к югу от моста.

Прототипы Tesla Semi часто видят в окрестностях Саннивейла, где у Tesla имеется производственный объект по изготовлению прототипов, а также в Фримонте, где находится завод компании. Вполне возможно, что прототип самоуправляемого грузовика начал свое путешествие из одного из этих мест, совершая тестовый пробег в пределах 100 миль (161 км).

Напомним, что представляя Tesla Semi в прошлом году, Tesla объявила, что пробег грузовика с полной нагрузкой от одного заряда батареи составляет до 500 миль (805 км). Ранее в этом году Илон Маск заявил, что серийная версия Tesla Semi, которая, как ожидается, сойдёт с конвейера в 2019 году, будет иметь гарантированный пробег от одного заряда ближе к 600 милям (966 км). Это заявление автомобильная индустрия встретила с большой долей скепсиса. Глава подразделения по выпуску грузового транспорта Daimler, например, заметил, что Tesla Semi не подчиняется законам физики, если всё так, как говорит Маск.

Tesla Semi driving to Santa Rosa pic.twitter.com/5Gdk4WAJcE

— Tesla (@Tesla) June 20, 2018