Micron Technology сообщила о старте пробного выпуска перспективной 128-слойной флэш-памяти 3D NAND четвертого поколения. Более обширное производство и внедрение устройств на её основе начнется в следующем году.

Micron начала производство 128-слойной флэш-памяти 3D NAND

В настоящее время основной продукцией Micron в этом направлении является 96-слойная память 3D NAND. Представители компании отмечают, что несмотря на ряд преимуществ, четвертое поколение флэш-памяти скорее дополнит, а не полностью заменит 96-слойную 3D NAND на конвейерах.

Главной инновацией памяти со 128 слоями является переход от технологии транзисторов с плавающим затвором (совместная разработка Intel и Micron, которая используется на протяжении многих лет) к технологии вертикальных МОП-транзисторов (Replacement Gate Technology), что положительно скажется на размере матрицы и производительности.

Таким образом, 128-слойная память будет своеобразным промежуточным звеном и полигоном для отработки технологий. Как было сказано ранее, Micron уже полным ходом разрабатывает флэш-память пятого поколения, которая и станет основным типом продукции и преемником 96-слойной 3D NAND.

Что касается стоимости готовых продуктов на основе чипов Micron, то руководство не обещает ощутимого падения цен. Снижение производственных затрат и стоимости флэш-памяти ожидается только в 2021 году.

ОСТАВЬТЕ ОТВЕТ

Please enter your comment!
Please enter your name here