Samsung планирует начать массовое производство 3-нм чипов в 2021 году

Южнокорейская корпорация Samsung поделилась планами начать серийное производство 3-нм полупроводниковой продукции с новым типом транзисторов GAAFET (gate-all-around FET) в 2021 году.

Технологию GAAFET разрабатывается Samsung и другими компаниями с начала 2000 годов. Она позволяет преодолеть ограничения FinFET (fin field-effect transistor) за счет своей архитектуры. В транзисторах GAAFET каналы выполняются в виде круглых нанопроводников, расположенных горизонтально или вертикально. Затвор обтекает такой канал со всех сторон.

Samsung планирует начать массовое производство 3-нм чипов в 2021 годуСтруктура транзисторов GAAFET (gate-all-around FET)

При этом один транзистор может использовать несколько каналов. Для сравнения, FinFET подразумевает покрытие трех сторон проводящего канала. Расположение затвора вокруг канала снижает потенциальные потери напряжения, увеличивая эффективность работы транзистора. За счет более низких напряжений питания при этом уменьшается энергопотребление.

Samsung планирует начать массовое производство 3-нм чипов в 2021 году

В прошлом году Samsung заявила, что она будет использовать 4-нм техпроцесс с транзисторами GAAFET уже в 2020 году. Эксперты отрасли, например Сэмюэль Ванг (Samuel Wang) из Gartner, скептически относились к перспективам выпуска GAAFET ранее 2022 года. Однако сейчас господин Ванг отметил, что Samsung наверняка запустит технологию раньше, чем ожидалось.

Samsung планирует начать массовое производство 3-нм чипов в 2021 году

Кроме того, Samsung лидирует в плане внедрения 7-нм технологического процесса на основе ультрафиолетовой (EUV) литографии. Компания начала пробный выпуск 7-нм EUV в конце 2018 года, а массовое производство может развернуться уже во втором полугодии. По неподтвержденной информации, Nvidia всерьез заинтересована данной технологией для производства графических чипов следующего поколения.

Яндекс.Метрика