Intel оптимистично оценивает перспективы собственного 7-нм техпроцесса

На недавней ежегодной конференции инвесторов Nasdaq Мурти Рендучинтала (Murthy Renduchintala), главный инженер и президент подразделения Technology, Systems Architecture & Client Group в Intel рассказал о планах компании в отношении 7-нанометрового техпроцесса. По мнению господина Рендучинталы, в Intel довольны темпами развития 7-нм норм с применением ультрафиолетовой (EUV) литографии.

Intel оптимистично оценивает перспективы собственного 7-нм техпроцесса

Инженеры и руководство учли багаж проблем с внедрением 10-нм технологических норм и намерены начать выпуск 7-нм чипов в соответствии со своими первоначальными внутренними планами. К сожалению, эти планы не известны широкой общественности, поэтому мы не можем сказать, когда 7-нм продукты Intel попадут в массовое производство и на прилавки магазинов.

Intel оптимистично оценивает перспективы собственного 7-нм техпроцесса
Фабрика Fab 42 в Аризоне

Основным предприятием по выпуску 7-нм полупроводниковых пластин должна стать Fab 42 в Аризоне. С другой стороны, массовое производство 10-нм продукции только должно начаться во второй половине следующего года, а переход на 7-нм затянется еще как минимум на пару лет. На данный момент единственным 10-нм продуктом компании является мобильный Core i3-8121U с отключенной графикой, выпуск которого осуществляется небольшими партиями. Хотя, согласно дорожных карт времен Sandy Bridge и Ivy Bridge, 10-нм процессоры должны были быть широко распространены еще в 2016 году.

Intel оптимистично оценивает перспективы собственного 7-нм техпроцесса
Дорожная карта Intel начала десятых годов

Технология производства 10-нм полупроводниковых пластин основана на глубокой ультрафиолетовой литографии (Deep EUV) с применением лазеров, работающих на длине волны 193 нм и технологии Multiple patterning с коэффициентом масштабирования 4X. Согласно Intel, такое сочетание и приводило к высокому проценту брака в конечной продукции.

В отличие от этого, 7-нм технология будет использовать экстремальную ультрафиолетовую литографию (extreme EUV) с длиной волны лазера 13,5 нм для выбранных слоев и уменьшенным использованием Multipatterning (коэффициент масштабирования 2X). В конечном счете, это позволит упростить производство и сократить время цикла процесса. Кроме того, 7-нм технологические нормы разрабатываются отдельной командой ученых и инженеров.

Яндекс.Метрика